TPC8022-H(TE12LQ數據表
TPC8022-H(TE12LQ數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8022-H(TE12LQ,M
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 27mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 650pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
