TPCA8011-H(TE12LQM數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCA8011-H(TE12LQM
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII-H FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32nC @ 5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2900pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1.6W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
