TPCF8A01(TE85L)數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCF8A01(TE85L)
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 49mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.5nC @ 5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 590pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 330mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 VS-8 (2.9x1.5) 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
