VS-CPV363M4KPBF數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 11A 功率-最大 36W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.1V @ 15V, 6A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 0.74nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 16A 功率-最大 36W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.63V @ 15V, 16A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 1.1nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 11A 功率-最大 36W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2V @ 15V, 11A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 0.74nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 13A 功率-最大 36W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2V @ 15V, 13A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 1.1nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
