VS-GB100TH120U數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了1零件號:
VS-GB100TH120U
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 200A 功率-最大 1136W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.6V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce 8.45nF @ 20V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Double INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝 Double INT-A-PAK |
