VS-GB150LH120N數據表
VS-GB150LH120N數據表
總頁數: 6
大小: 134.01 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了1零件號:
VS-GB150LH120N
|
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 300A 功率-最大 1389W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.87V @ 15V, 150A (Typ) 當前-集電極截止（最大值） 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce 10.6nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Double INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝 Double INT-A-PAK |
