VS-GT80DA120U數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GT80DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 HEXFRED® IGBT類型 Trench 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 139A 功率-最大 658W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.55V @ 15V, 80A 當前-集電極截止(最大值) 100µA 輸入電容(Cies)@ Vce 4.4nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝 SOT-227 |