ZXMC4A16DN8TA數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N and P-Channel Complementary FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250mA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 功率-最大 2.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N and P-Channel Complementary FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250mA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 功率-最大 2.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
