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UES706HR2

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 20A DO4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 20A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.25V @ 20A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AA, DO-4, Stud
• 供應商設備包裝: DO-4
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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RS 4FS

Sanken

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.5KV 2.5A AXIAL

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1500V
• 電流-平均整流（Io）: 2.5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 1µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -

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1N4944

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 35pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: A, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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RJU6054TDPP-EJ#T2

Renesas Electronics America

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 30A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 3V @ 30A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FP-2L
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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1N4936

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 12pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AL, DO-41, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AL (DO-41)
• 工作溫度-結點: -50°C ~ 150°C

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CD214A-B240LF

Bourns

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 40V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 500mV @ 2A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500µA @ 40V
• 電容@ Vr，F: 200pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AC, SMA
• 供應商設備包裝: SMA (DO-214AC)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 125°C

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ES2DHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 900mV @ 2A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 30ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 18pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AA, SMB
• 供應商設備包裝: DO-214AA (SMB)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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BY399P-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.25V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 500ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 28pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -50°C ~ 125°C

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1N5404

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 30pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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SPV1001N40

STMicroelectronics

整流器-單

DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 40V
• 電流-平均整流（Io）: 12.5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 140mV @ 10A
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 30V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN
• 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
• 工作溫度-結點: -45°C ~ 150°C

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JANTX1N6626US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/578
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 1.75A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.35V @ 2A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, E
• 供應商設備包裝: D-5B
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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JANTX1N649-1

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/240
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 400mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 400mA
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50nA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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JANTX1N4938-1

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/169
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 175V
• 電流-平均整流（Io）: 100mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 175V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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VS-20ETF06FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 20A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 20A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 160ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AC Full Pack
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C

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VS-20ETF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 20A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 20A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 160ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220AC
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C

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VS-20ETF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 20A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 20A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 160ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220AC
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C

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CMH05A(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 35ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOD-128
• 供應商設備包裝: M-FLAT (2.4x3.8)
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C

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RS2JHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 1.5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 1.5A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 250ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: 17pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AA, SMB
• 供應商設備包裝: DO-214AA (SMB)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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IDH10S120AKSA1

Infineon Technologies

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: CoolSiC™+
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 10A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 10A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 240µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 500pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: PG-TO220-2-2
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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IDH05S120AKSA1

Infineon Technologies

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: CoolSiC™+
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 5A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.8V @ 5A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 120µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 250pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: PG-TO220-2-2
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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IDD06SG60CXTMA1

Infineon Technologies

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: CoolSiC™+
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 6A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.3V @ 6A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: 130pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: PG-TO252-3
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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MBR1640

Diodes Incorporated

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 40V 16A TO220AC

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 40V
• 電流-平均整流（Io）: 16A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 630mV @ 16A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 200µA @ 40V
• 電容@ Vr，F: 450pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220AC
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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2A03-T

Diodes Incorporated

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 2A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-15
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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SB320-T

Diodes Incorporated

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 20V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 500mV @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500µA @ 20V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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MA2J7290GL

Panasonic Electronic Components

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 30V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 550mV @ 200mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 3ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50µA @ 30V
• 電容@ Vr，F: 30pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-90, SOD-323F
• 供應商設備包裝: SMini2-F3
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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MA2J1130GL

Panasonic Electronic Components

整流器-單

DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 80V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 200mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 10ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-90, SOD-323F
• 供應商設備包裝: SMini2-F3
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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STTH512B

STMicroelectronics

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.2V @ 5A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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MURD310T4

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 3A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 950mV @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 35ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 100V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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BAT41JFILM

STMicroelectronics

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 200mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 50V
• 電容@ Vr，F: 10pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-76, SOD-323
• 供應商設備包裝: SOD-323
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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SDT08S60

Infineon Technologies

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: CoolSiC™+
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 8A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 8A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 300µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: 280pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: PG-TO220-2-2
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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