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10ETF10STRR

10ETF10STRR

僅供參考

型號 10ETF10STRR
PNEDA編號 10ETF10STRR
描述 DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

10ETF10STRR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號10ETF10STRR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
10ETF10STRR, 10ETF10STRR數據表 (總頁數: 7, 大小: 172.71 KB)
PDF10ETF12S數據表 封面
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10ETF10STRR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.33V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)310ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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Rohm Semiconductor

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-XDFN

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

150°C (Max)

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制造商

Powerex Inc.

系列

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

450A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-200AA, A-PUK

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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