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11AA010T-I/MNY

11AA010T-I/MNY

僅供參考

型號 11AA010T-I/MNY
PNEDA編號 11AA010T-I-MNY
描述 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

11AA010T-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號11AA010T-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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11AA010T-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口Single Wire
時鐘頻率100kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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