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11LC010T-E/SN

11LC010T-E/SN

僅供參考

型號 11LC010T-E/SN
PNEDA編號 11LC010T-E-SN
描述 IC EEPROM 1K SINGLE WIRE 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

11LC010T-E/SN資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號11LC010T-E/SN
類別半導體內存IC內存

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11LC010T-E/SN規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口Single Wire
時鐘頻率100kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

195ps

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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