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15GN03MA-TL-E

15GN03MA-TL-E

僅供參考

型號 15GN03MA-TL-E
PNEDA編號 15GN03MA-TL-E
描述 RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

15GN03MA-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號15GN03MA-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
15GN03MA-TL-E, 15GN03MA-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 296.01 KB)
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15GN03MA-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡1.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.6dB @ 0.4GHz
增益13dB @ 0.4GHz
功率-最大400mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝3-MCP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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增益

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

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工作溫度

-

安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.4dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

12.5dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

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