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183NQ080

183NQ080

僅供參考

型號 183NQ080
PNEDA編號 183NQ080
描述 DIODE SCHOTTKY 80V 180A HALFPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $328.7484
50 ---------- $313.3383
100 ---------- $297.9283
200 ---------- $282.5182
400 ---------- $269.6764
500 ---------- $256.8347
庫存 251
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

183NQ080資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號183NQ080
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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183NQ080規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)180A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 180A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4.5mA @ 80V
電容@ Vr,F4150pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67 HALF-PAK
供應商設備包裝HALF-PAK
工作溫度-結點-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

830µA @ 650V

電容@ Vr,F

160pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

110A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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