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183NQ100R

183NQ100R

僅供參考

型號 183NQ100R
PNEDA編號 183NQ100R
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 180A HALFPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $51.5576
100 ---------- $49.1409
250 ---------- $46.7241
500 ---------- $44.3073
750 ---------- $42.2934
1,000 ---------- $40.2794
庫存 638
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

183NQ100R資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號183NQ100R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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183NQ100R規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)180A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 180A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4.5mA @ 100V
電容@ Vr,F4150pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67 HALF-PAK
供應商設備包裝HALF-PAK
工作溫度-結點-

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200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

65ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

500pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 250mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 75V

電容@ Vr,F

20pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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