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1H1G-TP

1H1G-TP

僅供參考

型號 1H1G-TP
PNEDA編號 1H1G-TP
描述 DIODE HI EFF R-2
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1H1G-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1H1G-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1H1G-TP, 1H1G-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 718.18 KB)
PDF1H7G-TP數據表 封面
1H7G-TP數據表 頁面 2 1H7G-TP數據表 頁面 3

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1H1G-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱R-1, Axial
供應商設備包裝R-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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75V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 20V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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DO-213AA

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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1.7V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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