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1N1183

1N1183

僅供參考

型號 1N1183
PNEDA編號 1N1183
描述 DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1183資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1183
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1183, 1N1183數據表 (總頁數: 3, 大小: 764.84 KB)
PDF1N1187R數據表 封面
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1N1183規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 35A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

70ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

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