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1N1184AR

1N1184AR

僅供參考

型號 1N1184AR
PNEDA編號 1N1184AR
描述 DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1184AR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1184AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1184AR, 1N1184AR數據表 (總頁數: 3, 大小: 792.92 KB)
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1N1184AR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 40A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電流-平均整流(Io)

18.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

350mV @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

42pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

8A

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510mV @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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