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1N1190

1N1190

僅供參考

型號 1N1190
PNEDA編號 1N1190
描述 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價
1 ---------- $83.9507
50 ---------- $80.0155
100 ---------- $76.0803
200 ---------- $72.1452
400 ---------- $68.8658
500 ---------- $65.5865
庫存 136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1190資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1190
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1190, 1N1190數據表 (總頁數: 3, 大小: 763.92 KB)
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1N1190規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 35A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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