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1N1199AR

1N1199AR

僅供參考

型號 1N1199AR
PNEDA編號 1N1199AR
描述 DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1199AR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1199AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1199AR, 1N1199AR數據表 (總頁數: 3, 大小: 768.16 KB)
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1N1199AR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123H

供應商設備包裝

SOD-123H

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

210ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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