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1N1200A

1N1200A

僅供參考

型號 1N1200A
PNEDA編號 1N1200A
描述 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1200A資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1200A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1200A, 1N1200A數據表 (總頁數: 3, 大小: 768.16 KB)
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1N1200A規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 120V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AD

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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