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1N1200AR

1N1200AR

僅供參考

型號 1N1200AR
PNEDA編號 1N1200AR
描述 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1200AR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1200AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1200AR, 1N1200AR數據表 (總頁數: 3, 大小: 794.16 KB)
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1N1200AR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 225V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.26V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-203AA (DO-4)

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 1A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1200V

電容@ Vr,F

69pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 850A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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