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1N3881

1N3881

僅供參考

型號 1N3881
PNEDA編號 1N3881
描述 DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3881資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3881
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N3881規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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2A

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550mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

180pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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-

當前-反向泄漏@ Vr

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