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1N4003 TR

1N4003 TR

僅供參考

型號 1N4003 TR
PNEDA編號 1N4003-TR
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4003 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4003 TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4003 TR, 1N4003 TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 217.39 KB)
PDF1N4005 TR數據表 封面
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1N4003 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 9A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 600V

電容@ Vr,F

280pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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1600V

電流-平均整流(Io)

320A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

44pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1800V

電容@ Vr,F

-

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