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1N4003E-E3/54

1N4003E-E3/54

僅供參考

型號 1N4003E-E3/54
PNEDA編號 1N4003E-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4003E-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4003E-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4003E-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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500V

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2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

供應商設備包裝

1005/SOD-323F

工作溫度-結點

125°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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75V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 75V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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