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1N4003E-E3/73

1N4003E-E3/73

僅供參考

型號 1N4003E-E3/73
PNEDA編號 1N4003E-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 123,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4003E-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4003E-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4003E-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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90V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 90V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-220AA (SMP)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

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-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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45V

電流-平均整流(Io)

175A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 175A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

5600pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

PowerTab®

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

440V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 440V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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