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1N4006L-T

1N4006L-T

僅供參考

型號 1N4006L-T
PNEDA編號 1N4006L-T
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4006L-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4006L-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4006L-T, 1N4006L-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 94.94 KB)
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1N4006L-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

70ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 630A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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