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1N4149TR

1N4149TR

僅供參考

型號 1N4149TR
PNEDA編號 1N4149TR
描述 DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 307,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4149TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4149TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4149TR, 1N4149TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 145.66 KB)
PDF1N4149_T50R數據表 封面
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1N4149TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 20V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

150mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

900ps

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 20V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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40V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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