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1N4153-1

1N4153-1

僅供參考

型號 1N4153-1
PNEDA編號 1N4153-1
描述 DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4153-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4153-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N4153-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 20mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 45A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

180ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

870mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

SMC

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系列

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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