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1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

僅供參考

型號 1N4448W-E3-18
PNEDA編號 1N4448W-E3-18
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4448W-E3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4448W-E3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4448W-E3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果720mV @ 5mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

251pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

15V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

350mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 15V

電容@ Vr,F

1120pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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