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1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

僅供參考

型號 1N4448W-G3-08
PNEDA編號 1N4448W-G3-08
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4448W-G3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4448W-G3-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4448W-G3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果720mV @ 5mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

TS-1

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

GI250-1-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 250mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2400V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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