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1N4448WS-G3-18

1N4448WS-G3-18

僅供參考

型號 1N4448WS-G3-18
PNEDA編號 1N4448WS-G3-18
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4448WS-G3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4448WS-G3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4448WS-G3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果720mV @ 5mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

-

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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