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1N4454-1

1N4454-1

僅供參考

型號 1N4454-1
PNEDA編號 1N4454-1
描述 DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4454-1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4454-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N4454-1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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Micro Commercial Co

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

860mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

Module

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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