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1N485B_T50R

1N485B_T50R

僅供參考

型號 1N485B_T50R
PNEDA編號 1N485B_T50R
描述 DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N485B_T50R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N485B_T50R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N485B_T50R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 175V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

9000V

電流-平均整流(Io)

3040A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 9000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 160°C

MBRS3201T3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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