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1N4947GPHE3/73

1N4947GPHE3/73

僅供參考

型號 1N4947GPHE3/73
PNEDA編號 1N4947GPHE3-73
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4947GPHE3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4947GPHE3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N4947GPHE3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

M-FLAT (2.4x3.8)

工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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