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1N5061GPHE3/54

1N5061GPHE3/54

僅供參考

型號 1N5061GPHE3/54
PNEDA編號 1N5061GPHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5061GPHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5061GPHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5061GPHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-204AC (DO-15)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

13mA @ 800V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220AC ins

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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