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1N5195UR

1N5195UR

僅供參考

型號 1N5195UR
PNEDA編號 1N5195UR
描述 DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5195UR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5195UR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5195UR規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)180V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 180V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-90, SOD-323F

供應商設備包裝

UMD2

工作溫度-結點

150°C (Max)

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GeneSiC Semiconductor

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 160°C

JAN1N4459

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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