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1N5226B-T

1N5226B-T

僅供參考

型號 1N5226B-T
PNEDA編號 1N5226B-T_AD
描述 DIODE ZENER 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5226B-T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5226B-T
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5226B-T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.3V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)1.6 kOhms
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

21 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 14V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

75V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E, Axial

供應商設備包裝

-

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

36V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

50 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 27.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±6%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

6 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

11V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

5.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 8.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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