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1N5235C-TAP

1N5235C-TAP

僅供參考

型號 1N5235C-TAP
PNEDA編號 1N5235C-TAP
描述 DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5235C-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5235C-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N5235C-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)6.8V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)5 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 52V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

47V

公差

±5%

功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

70 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 35V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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阻抗(最大值)(閽zt)

19 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 13V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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公差

±5%

功率-最大

250mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

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