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1N5263B-T

1N5263B-T

僅供參考

型號 1N5263B-T
PNEDA編號 1N5263B-T_AD
描述 DIODE ZENER 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5263B-T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5263B-T
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5263B-T, 1N5263B-T數據表 (總頁數: 6, 大小: 94.8 KB)
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1N5263B-T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)56V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)1.3 kOhms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 43V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 8.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 29.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 23.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

39V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 29.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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