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1N5269B AP

1N5269B AP

僅供參考

型號 1N5269B AP
PNEDA編號 1N5269B-AP
描述 DIODE ZENER 87V 500MW DO35
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5269B AP資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5269B AP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5269B AP, 1N5269B AP數據表 (總頁數: 5, 大小: 494.58 KB)
PDF1N5281B TR數據表 封面
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1N5269B AP規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)87V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)370 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 68V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

±2%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 121.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

0.24 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 32.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

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