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1N5338CE3/TR12

1N5338CE3/TR12

僅供參考

型號 1N5338CE3/TR12
PNEDA編號 1N5338CE3-TR12
描述 DIODE ZENER 5.1V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5338CE3/TR12資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5338CE3/TR12
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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  • 1N5338CE3/TR12 Distributor

1N5338CE3/TR12規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)5.1V
公差±2%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)1.5 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

19 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

162V

公差

±5.55%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 120V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

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阻抗(最大值)(閽zt)

60 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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