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1N5339AE3/TR12

1N5339AE3/TR12

僅供參考

型號 1N5339AE3/TR12
PNEDA編號 1N5339AE3-TR12
描述 DIODE ZENER 5.6V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5339AE3/TR12資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5339AE3/TR12
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5339AE3/TR12規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)5.6V
公差±10%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)1 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

325 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 91.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

11V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 8.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35 (DO-204AH)

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

3V

公差

±5%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

120 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.32V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 700mV

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AG, DO-34, Axial

供應商設備包裝

DO-34

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

74.5V

公差

±6.04%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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