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1N5339AE3/TR8

1N5339AE3/TR8

僅供參考

型號 1N5339AE3/TR8
PNEDA編號 1N5339AE3-TR8
描述 DIODE ZENER 5.6V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5339AE3/TR8資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5339AE3/TR8
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N5339AE3/TR8規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)5.6V
公差±10%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)1 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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公差

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功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

53 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 32.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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制造商

Micro Commercial Co

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

120V

公差

±10%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

380 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 91.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 7.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

DO-219AB (SMF)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

33V

公差

±2%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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