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1N5356CE3/TR8

1N5356CE3/TR8

僅供參考

型號 1N5356CE3/TR8
PNEDA編號 1N5356CE3-TR8
描述 DIODE ZENER 19V 5W T18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5356CE3/TR8資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5356CE3/TR8
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5356CE3/TR8, 1N5356CE3/TR8數據表 (總頁數: 3, 大小: 150.89 KB)
PDF1N5388E3/TR8數據表 封面
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1N5356CE3/TR8規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)19V
公差±2%
功率-最大5W
阻抗(最大值)(閽zt)3 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 13.7V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝T-18

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 115V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

9.1V

公差

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功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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33V

公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 25V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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