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1N5406-E3/73

1N5406-E3/73

僅供參考

型號 1N5406-E3/73
PNEDA編號 1N5406-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 84,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5406-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5406-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5406-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

235A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 1000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

220µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

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