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1N5407G A0G

1N5407G A0G

僅供參考

型號 1N5407G A0G
PNEDA編號 1N5407G-A0G
描述 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5407G A0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5407G A0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5407G A0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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