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1N5419E3

1N5419E3

僅供參考

型號 1N5419E3
PNEDA編號 1N5419E3
描述 DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5419E3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5419E3
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5419E3規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)500V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 9A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 500V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱B, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

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10V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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