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1N5615GPHE3/54

1N5615GPHE3/54

僅供參考

型號 1N5615GPHE3/54
PNEDA編號 1N5615GPHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5615GPHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5615GPHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N5615GPHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 200V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-204AC (DO-15)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

230mV @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

135pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

175°C (Max)

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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包裝/箱

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