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1N5737C

1N5737C

僅供參考

型號 1N5737C
PNEDA編號 1N5737C
描述 DIODE ZENER 11V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5737C資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5737C
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N5737C規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)11V
公差±1%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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制造商

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 7.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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公差

±2%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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功率-最大

5W

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2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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